西門(mén)子變頻器中IGBT爆炸的原因
IGBT爆炸原因分析【變頻器配套設(shè)備】
1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過(guò)散熱功率，內(nèi)部原因應(yīng)該就是過(guò)熱。
2.人為因素：
(1)進(jìn)線(xiàn)接在出線(xiàn)的端子上
(2)變頻器接錯(cuò)電源
(3)沒(méi)按要求接負(fù)載
3.常見(jiàn)原因：
(1)過(guò)電流 ：一種是負(fù)載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通。
(2)絕緣的損壞
(3)過(guò)電壓 ：通常是線(xiàn)路雜散電感在極高的di/dt作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設(shè)計(jì)高性能吸收回路，降低線(xiàn)路雜散電感。
(4)過(guò)熱 ：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導(dǎo)致?lián)p壞。
(5)通訊誤碼率 a.通訊一段時(shí)間后，突然的錯(cuò)誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使 IGBT爆炸;b.通訊板FPGA程序運(yùn)行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸
4.其他原因：
(1)電路中過(guò)流檢測(cè)電路反應(yīng)時(shí)間跟不上。
(2)IGBT短路保護(hù)是通過(guò)檢測(cè)飽和壓降，而留給執(zhí)行機(jī)構(gòu)的時(shí)間一般是10us(8倍過(guò)流)在上電的時(shí)候容易燒預(yù)充電電阻和制動(dòng)單元里的IGBT。
(3)工藝問(wèn)題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。
(4)短時(shí)大電流：原因也有很多，比如死區(qū)沒(méi)設(shè)置好、主電路過(guò)壓、吸收電路未做好。
(5)驅(qū)動(dòng)電源也是個(gè)應(yīng)該特別注意的問(wèn)題，該隔離加隔離、該濾波加濾波。
(6)電機(jī)沖擊反饋電壓過(guò)大導(dǎo)致IGBT爆炸。但對(duì)于充電時(shí)爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大。
(7)電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，輸入測(cè)電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測(cè)電壓恢復(fù)后電容充電時(shí)的浪涌電流過(guò)大致使IGBT爆炸。
請(qǐng)注意，對(duì)于變頻器的維修，應(yīng)嚴(yán)格按照說(shuō)明書(shū)和相關(guān)安全規(guī)范進(jìn)行操作，避免因操作不當(dāng)造成設(shè)備損壞或人員傷害。同時(shí)，對(duì)于復(fù)雜或不確定的故障，建議聯(lián)系專(zhuān)業(yè)的維修人員進(jìn)行處理——上海仰光電子，我們提供免費(fèi)檢修，維修速度快，專(zhuān)業(yè)維修公司，價(jià)格低。
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